注册

存储芯片相关资讯

实现国产替代!东芯半导体加快存储芯片布局步伐

从成立开始,东芯半导体便聚焦在小容量存储芯片的开发。通过收购和自主研发,目前东芯半导体的产品在国内已经积累了不少优势。

存储芯片 人工智能

IC设计

群联:Q2客户可望陆续回补库存

群联董事长潘健成指出,在 NAND Flash 平均售价 (ASP) 持续下降下,第 1 季营收还能维持小幅成长,主要原因在于 SSD 控制芯片 IC 出货量,较去年同期成长 81%,加上存储器位元出货量大幅成长超过 1.18 倍。

存储芯片 闪存 群联电子

存储器

相约东京 领略佰维工控产品魅力

佰维将携全系列工控SSD和嵌入式存储芯片等产品在West Hall W6-2展位隆重展出,与来自全球100多个国家与地区的620家参展商“同台竞技”,进一步扩大BIWIN品牌在亚太乃至全球市场的影响力。

SSD固态硬盘 存储芯片 佰维存储

存储器

紫光集团向上交所申报100亿元纾困专项债

3月26日,紫光集团官方发布新闻稿,公司已于3月22日向上海证券交易所提交了非公开发行不超过100亿元纾困专项债券申请,以帮助民营企业、中小企业解决融资困境及化解上市公司股票质押风险...

集成电路 紫光集团 存储芯片

IC设计

5G时代,快速提升工控存储性能的法门

鉴于工业应用领域的特殊需求,为实现数据高性能存储,在行业企业给出的解决方案中,最可行的三个选项是:一、采用NVMe协议的SSD;二、采用3D NAND立体存储单元;三、升级DDR4-2666 MT/s内存。

存储芯片 5G网络 佰维存储

存储器

三星继续发力存储器市场,韩国平泽新厂或将提前投产

根据韩媒koreaherald消息,三星电子 (Samsung Electronics) 似乎正在为明年3月在京畿道平泽市的第二座存储器工厂的运营作准备。

DRAM 三星电子 存储芯片

存储器

10nm工艺,三星正式量产12GB LPDDR4X

三星 (Samsung) 14日正式宣布开始量产大容量行动式DRAM——业界首款12GB LPDDR4X。新款内存适用于未来的高端智能手机,具有比大多数笔记本电脑更大的容量,将带来更极致的性能体验。

三星 存储芯片 行动式内存

存储器

因应手机存储器容量扩增需求,三星量产 12G LPDDR4X

三星 14 日宣布,已开始大规模生产业界首款 12G LPDDR4X 手机用行动式DRAM 存储器。新的行动式DRAM存储器具有比大多数超薄笔记型计算机更高的容量,可以让使用者能够充分利用下一代智能型手机的功能。

存储芯片 行动式内存 三星智能手机

存储器

正在考虑收购恩智浦? 三星否认传闻

韩国媒体InvestChosun报道称,三星电子内部正在评估对恩智浦发起收购,由副会长李在镕助手、总裁Chung Hyun-ho和副总裁Ahn Joong-hy领导的团队正审核该项目...

三星电子 存储芯片 恩智浦半导体

IC设计

< 454647484950......57>