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2025-07-02
三星电子在其2025年度可持续发展报告中宣布,已开发出基于LPDDR DRAM的服务器内存模块SOCAMM2...
三星电子
存储器
2025-06-19
三星电子基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片已成功完成首次性能评估,传输带宽达到24Gbps...
IC设计
2025-06-12
三星电子在DRAM内存领域取得了重要技术突破,成为首家引入干式光刻胶(Dry PR)技术的公司...
2025-03-10
外媒最新消息显示,三星电子设备解决方案(DS)部门已着手开发下一代封装材料“玻璃中介层”,目标不仅是取代昂贵的硅中介层,还要...
三星电子 半导体材料 先进封装
制造/封测
2025-01-03
两家半导体巨头都在2024年末经历了领导层变动...
三星电子 英特尔
2024-12-24
三星电子将在平泽二厂(P2)建设一条10nm第七代DRAM(1d DRAM)试验线,以加强其竞争地位并提高新一代产品的良率...
存储器 三星电子 半导体制造
2024-12-13
AI时代,高性能芯片重要性日益凸显,推动先进制程芯片成为晶圆代工行业竞争的“关键武器”;与此同时,消费电子市场尽管需求尚....
三星电子 晶圆代工 先进制程
2024-12-10
据韩媒BusinessKorea报道,半导体存储大厂三星电子已完成400层NAND技术研发,并开始导入产线....
三星电子 NAND Flash 存储技术
2024-11-27
11月27日,三星电子宣布了2025届总裁级别人事变动,以增强未来的竞争力,主要变动包括制度、部门管理、人员职务等层面方面...
存储器 三星电子 芯片制造
NAND FLASH ( 2026/4/21 19:01:18 )
DRAM ( 2026/4/21 19:01:18 )