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三星电子相关资讯

三星本季将超越英特尔成为全球第一大芯片制造商

《金融时报》报道称,由于移动设备和数据服务器对于芯片的强劲需求,三星电子预计将在本季度首次超越英特尔,成为全球第一大芯片制造商。

三星电子 芯片制造

IC设计

传三星跳级直攻6纳米 拟2019年量产

据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子,成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称,三星打算直攻6纳米制程扳回一城。

三星电子 高通 台积电

IC设计

和三星抢生意 LG力争明年为iPhone 9供应柔性电路板

据韩媒报道,为了争夺iPhone 9的订单,韩国巨头LG旗下的材料及组件公司LG Innotek正在进行柔性电路板(PCB)量产的准备工作。

三星电子 智能手机 iPhone

智能终端

iPhone 8量产 加剧全球手机闪存芯片供应紧缺

随着iPhone 8的大量量产,对于全球手机供应链都会产生冲击,尤其是相对紧缺的闪存芯片市场,iPhone8量产将会加深闪存芯片的短缺。

三星电子 闪存芯片 iPhone

存储器

下半年DRAM需求在哪?就看这两大终端产品

《韩国经济日报》报导,今年以来全球半导体DRAM产业的获利状况,正可谓是欣欣向荣。

DRAM SK海力士 三星电子

存储器

AMD乐了:格罗方德2018年量产7nm 性能提升40%

全球第三大晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)直接跳过了10nm工艺,直接奔向高性能的7nm工艺节点。

三星电子 台积电 格罗方德

IC设计

屏下指纹遇亮度问题 今年iPhone 8还能赶上吗?

随着全面屏时代的开启,越来越多的人开始关注如何在触摸屏下实现指纹识别。

三星电子 iPhone 指纹识别

智能终端

三星将先于台积电引入EUV工艺 在先进工艺上赢得领先优势

台积电因连续在14/16nmFinFET、10nm工艺上落后于三星,其急于在7nm工艺上取得领先优势。

三星电子 台积电 EUV光刻机

IC设计

三星64层3D NAND量产;Q3服务器DRAM合约价或季增3%~8%

6月15日,存储器大厂三星电子宣布,正式量产64层3D NAND Flash,容量为256GB,比此前外界传出的量产时间晚了半年。

DRAM 三星电子 NAND Flash

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