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三星电子相关资讯

Q4三星生产二代10纳米芯片 英特尔紧随其后

今年四季度,三星将会用10纳米LPP(low-power plus)技术生产芯片

三星电子 芯片

IC设计

台积电三星拼7纳米制程 ASML极紫外光设备订单持续涌入

全球半导体微影技术领导厂商艾司摩尔 (ASML) 公布今年第一季财报,季营收19.4亿欧元

ASML 三星电子 EUV光刻机

IC设计

3D NAND良率不稳 明年上半年之前SSD降价不明显

据业内消息称,3D立体堆叠封装的NAND闪存正成为行业主流,产能在不断扩大,预计到今年第四季度即可超越传统2D闪存。

三星电子 SSD固态硬盘

存储器

三星二代10nm工艺LPP将量产:骁龙835改良版要来?

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三星电子 骁龙处理器 Exynos

IC设计

韩媒曝三星DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限?

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DRAM 三星电子

存储器

中国半导体新厂明年下半年陆续投片;三星NAND存储器新厂上半年投产

据拓墣产业研究院最新研究显示,当前中国正在建造和规划的12寸晶圆厂达11座,未来新增加的12寸晶圆月产能将超过90万片,其中长江存储、福建晋华、合肥长鑫及南京紫光等厂商都将目标锁定在DRAM和3D NAND Flash存储器领域。

三星电子 NAND Flash

一周热点

【一周热点回顾】三星早于台积电量产10纳米芯片;Q3全球智能手机出货量季增长10.4%

据全球市场研究机构TrendForce最新报告显示,第三季度全球智能手机出货量再创新高,达到约3.5亿部,季增长10.4%。其中中国手机品牌持续发力,出货量再次超越三星和苹果两大巨头的总和,出货量约为1.68亿部,季增长高达18%。

三星电子 智能手机

一周热点

TrendForce:PC-OEM积极回补库存,12月下旬DRAM合约价延续上旬涨价动能

根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示,12月上旬合约价格受到现货价格拉抬的激励,平均涨幅约2%,下旬合约价更延续上旬上涨的气势,尤其是主流模组4GB的高价位价格上涨最多,达到3.17%...

SK海力士 三星电子 服务器内存

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