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DRAM芯片相关资讯

存储市场吹响EUV光刻机集结号

AI浪潮下,存储市场DRAM芯片正朝着更小、更快、更好的方向发展,EUV光刻机担当重任。三大DRAM原厂中有两家已经引进EUV....

存储器 DRAM芯片 EUV光刻机

存储器

紫光国芯成功登陆新三板

据“西安紫光国芯UniIC” 消息,7月1日,西安紫光国芯半导体股份有限公司成功登陆新三板(企业简称“紫光国芯”)...

DRAM芯片 存储芯片 紫光国芯

存储器

美光科技宣布出货用于AI数据中心的关键内存产品

近日,美光科技宣布在业界率先验证并出货基于大容量32Gb单块DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM内存,其速率在所有主流服务...

DRAM芯片 美光科技 DDR5

存储器

谁是存储器市场下一个“宠儿”?

AI浪潮对存储器提出了更高要求,高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显,存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈:NAND....

存储器 DRAM芯片 NAND Flash

存储器

又一存储大厂DRAM考虑采用MUF技术

韩国媒体 TheElec报道,三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充(MUF)技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS)...

三星 DRAM芯片 芯片技术

存储器

西安紫光国芯携新一代DDR5 RDIMM产品等最新技术成果亮相MTS 2024

11月8日,以“存储趋势 智创芯生”为主题的2024存储产业趋势研讨会 (MTS 2024) 在深圳隆重举办。西安紫光国芯携专业DRAM KGD解决方案...

存储器 DRAM芯片 紫光国芯

存储器

传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存

,三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产...

三星 DRAM芯片 NAND Flash

存储器

三星电子宣布开发出12nm级32GbDRAM

9月1日,三星电子宣布该公司已采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,在相同封装尺寸下,容量是16Gb内存模组...

三星 DRAM芯片 DDR5

存储器

存储大厂发力GDDR7!

随着全球游戏市场不断增长,三星、美光等均加大力度研发针对下一代游戏显卡的GDDR7显存...

三星 DRAM芯片 内存

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