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闪迪成立HBF™技术顾问委员会,指导高带宽闪存技术发展与战略

近日,Sandisk宣布成立技术顾问委员会,指导其高带宽闪存技术的开发和战略,该委员会由闪迪内部和外部的行业专家与高级技术人才组成...

闪迪SanDisk HBM

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V-COLOR 宣布推出 OC RDIMM 全系列产品

V-COLOR 宣布推出 OC RDIMM 全系列产品,适用于 AMD Threadripper PRO 9000 「Shimada Peak」 平台...

内存

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芝奇推出全新T5 Neo DDR5-6400 CL38 512GB (64GBx8) R-DIMM超频内存 专为AMD Ryzen Threadripper PRO工作站而生

7月24日芝奇国际正式推出专为最新 AMD Ryzen™ Threadripper™ PRO 工作站处理器打造的 T5 Neo DDR5-6400 C...

内存 DDR5

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美光推出首款256Gb耐辐射闪存 获完整太空认证

美光科技(Micron Technology)宣布推出业界最高密度、耐辐射的SLC NAND产品,面向宇航应用...

闪存 美光科技

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SK海力士发布2025财年第二季度财务报告

2025年7月24日,SK海力士发布截至2025年6月30日的2025财年第二季度财务报告。公司2025财年第二季度营业收入为22.232万亿韩元,营...

DRAM SK海力士 NAND Flash

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三星电子准备从16层HBM开始引入混合键合技术

三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇表示正准备从16层HBM开始引入混合键合

三星电子 HBM

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三星DRAM良率突破50%,下半年将量产HBM4

韩国媒体报导,三星电子在10奈米级第六代(1c)DRAM制程方面取得了重大进展,良率已突破50%...

三星 HBM4

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闪迪放弃500亿美元密歇根州晶圆厂建设计划

近日,闪迪(SanDisk)公司宣布放弃一项超过500亿美元的半导体制造设施建设计划...

晶圆

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芝奇DDR5内存由法国超频好手bl4ckdot创下DDR5-12872最高速度超频世界纪录

芝奇国际宣布法国极限超频专业好手bl4ckdot使用芝奇由严选高效能SK hynix DDR5 ICs打造的Trident Z5系列套装中的单根24G...

芝奇国际

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