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【功率器件】韩国政府宣布将培育下一代功率半导体技术

来源:全球半导体观察       

4月1日消息,韩国政府宣布将正式培育下一代功率半导体技术,并计划到2025年为止,开发5种以上新一代功率半导体商用产品,在国内建设6~8英寸代工厂基础设施。

据韩国媒体报道,4月1日,韩国政府召开会议,发表了包含上述内容的"下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案"。

新一代功率半导体由比硅(Si)更节能、更耐用的新型半导体材料构成,包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和氧化镓(Ga2O3 ),可适用于人工智能 、5G 或需要面对高温、高压环境,且对耐久性要求较高的新能源汽车中。

为抢占这一市场,韩国政府作出了一系列计划,包括鼓励民间资本对国内相关基础设施进行投资,建设6~8英寸代工厂。

韩国产业部长官成允模表示:"在AI、5G、自动驾驶、新能源等领域,下一代功率半导体是关键零部件","政府计划积极支援研发、基础设施等,以抢占初期的下一代功率半导体市场,确保未来竞争力。"

封面图片来源:拍信网