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【功率器件】赛微电子拟投资10亿元 于青州建6-8英寸氮化镓功率器件项目

来源:全球半导体观察       

4月2日消息,昨日,赛微电子发布公告称,其与青州市人民政府签署了《合作协议》,以共同推进 6-8 英寸GaN氮化镓功率器件半导体制造项目。

公告内容显示,赛微电子拟在青州经济开发区发起投资 10 亿元分期建设聚能国际 6-8 英寸氮化镓功率器件半导体制造项目。项目总占地面积 30 亩,一期建成投产后将形成 月产 5000 片6-8英寸 GaN 芯片晶圆的能力,二期建成投产后将形成 12,000 片/月的生产能力。

赛微电子表示,该项目一期计划建设周期为 9 个月,今年底前做好投产前准备,2022上半年可投入生产,一期产能投产达效后预计可新增年销售收入 5 亿元。

赛微电子称,这一与青州政府的合作项目有利于自身进一步完善 GaN 业务的全产业链 IDM(垂直整合制造)布局,在现有产业链合作基础上进一步加强产能保障,把握 GaN 业务发展的关键机遇窗口,逐步形成自主可控、全本土化、可持续拓展的 GaN 材料、设计、制造能力。

数日前的3月31日,赛微电子召开了董事会会议,审议通过《关于控股子公司对外投资设立参股子公司的议案》,即其控股子公司青岛聚能创芯微电子有限公司拟与山东嘉俊投资管理有限公司签订《投资协议》,共同投资设立青州聚能国际半导体制造有限公司,其注册资本为10亿元,其中聚能创芯出资2.5亿元,持有其25%的股权,山东嘉俊出资7.5亿元,持股75%。

图片来源:赛微电子公告截图

封面图片来源:拍信网