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能华半导体张家港制造中心(二期)项目开工

来源:全球半导体观察整理       

据张家港经开区官微消息,4月18日,能华半导体张家港制造中心(二期)项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。

消息显示,能华半导体张家港制造中心(二期)项目总投资6000万元,规划建设生产厂房及配套设施,总建筑面积约10000平方米,采用先进半导体外延、测试等工艺技术,购置MOCVD、XRD衍射仪、AFM原子力显微镜等设备,新建GaN外延片产线。

项目投产后,将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。该项目将对经开区半导体产业进行横向扩能和纵向延伸,进一步增强在半导体领域的战略布局。

资料显示,能华半导体采用IDM全产业链模式,致力于硅基GaN(GaN-on-Si),蓝宝石基GaN(GaN-on-Sapphire), 碳化硅基GaN(GaN-on-SiC) 晶圆与器件的研发、设计、制造与销售。能华的6英寸/8英寸GaN晶圆和功率器件涵盖40V-1200V。

封面图片来源:拍信网