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NAND Flash相关资讯

Toshiba 与 WD 正在研发 128-Layer 3D TLC 存储器颗粒

Toshiba 与 Western Digital 的128-Layer 3D NAND,其被命名为 BiCS 5 (96-Layer 3D NAND 为 BiCS 4),将会使用 CuA 设计,与非 CuA 技术相比可把芯片尺寸缩小 15%。

NAND Flash 西部数据 东芝

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受惠NAND Flash单位成本下滑,威刚2月营收仅月减2.35%

威刚表示,随着上游原厂 3D NAND Flash 芯片产出增加及单位成本下降,2019 年 NB 搭载 SSD 容量及市场渗透率将大幅提升,市场需求持续看俏,可望挹注公司运营表现。

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存储器价格2019年第1季将再跌30%,三星半导体龙头恐不保

根据集邦咨询TrendForce存储器储存研究 (DRAMeXchange) 最新调查指出,2019 年以来 DRAM 存储器价格大幅下跌,其估计第 1 季的跌幅,将预期从原本的25%,扩大至30%。而这样的情况,对于依赖存储器业务而登上全球半导体龙头位置的南韩三星来说,显然不是好消息,因为有可能因为存储器价格的持续下跌,导致其半导体龙头企业的位置不保。事实上,自 2016 年以来,受 PC、智能...

三星电子 NAND Flash 半导体存储器

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WD 发布UFS 3.0 iNAND EU511 闪存产品

Western Digital宣布推出新一代 iNAND 嵌入式闪存 EU511,支持最新的 UFS 3.0,最大容量 512 GB,使用了 96-Layer 3D NAND 闪存,写入速度达到 750 MB/s,足足比上代快了一倍。宣称为未来的 5G 设备提供更好的体验。

NAND Flash 存储芯片 西部数据

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集邦短评| 斥资千亿美元,SK海力士将在韩国兴建4座晶圆厂

集邦咨询认为,SK海力士在韩国龙仁市宣布打造半导体园区,可能基于以下考量:龙仁和现有的大型半导体厂如利川 (SK海力士DRAM厂)、清州 (SK海力士NAND厂)、平泽 (三星DRAM/NAND厂)等有地利之便,有助于吸引人才,且半导体园区有助于水电资源的集中布建,对产业带来群聚效应;

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集邦咨询:受价格下跌拖累,2018年第四季NAND Flash大厂营收季减16.8%

全球市场研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)表示,部分服务器厂商因2018年第四季总体经济不确定性提高,决定延后进货或取消订单...

智能手机 NAND Flash

市场观察

筹措设备投资资金!传TMC将于9月IPO

路透社 20 日报导,据多位关系人士透露,(TMC)已着手进行准备,计划今年 9 月 IPO,预估 TMC 上市后市值将超过 2 兆日圆。

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新产能Q2后发酵 NAND Flash跌价压力仍在

由于NAND Flash价格去年大跌,导致三星、SK海力士、东芝及西数、美光及英特尔等四大阵营在去年底减少晶圆产出,下修今年资本支出并推迟96层3D NAND扩产计划,的确让第一季NAND Flash价格出现缓跌情况。

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Q1淡季有撑,南茂稳扬

封测厂南茂营运虽因步入产业淡季,单月营收较去年10月高档下滑,但受惠驱动IC薄膜覆晶封装(COF)需求畅旺撑盘,2019年1月自结合并营收15.49亿元,较去年12月15.37亿元微增0.78%、较去年同期13.36亿元成长15.93%。南茂董事长郑世茂先前指出,虽然上半年半导体市况相对趋守,但南茂受惠标准型DRAM订单增加、触控面板感应芯片(TDDI)产品渗透率提升,预期首季淡季营运落底,可望自...

NAND Flash IC封测 南茂科技

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