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关键词:宽禁带半导体

半导体所等在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展

中国科学院半导体研究所研究员刘志强等与北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作,在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展...

半导体技术 氮化镓 宽禁带半导体

功率器件

15个成员单位签约,河北省第三代半导体产业创新联合体成立

近日,河北省第三代半导体产业创新联合体正式成立。在成立大会现场,创新联合体3-5年25项攻关任务和“揭榜挂帅”技术榜单发布...

碳化硅 第三代半导体 宽禁带半导体

功率器件

铭镓半导体预计2023年底完成扩产计划,将建成氧化镓完整产业线

据北京顺义消息, 8月1日,顺义科创集团与北京铭镓半导体签订承租合同,将腾退的989平方米老厂房变身为氧化镓配套实验室...

半导体材料 宽禁带半导体 氧化镓

材料/设备

宽禁带半导体GaN单晶衬底项目、Wi-Fi Halow芯片项目等重大项目落地苏州高新区

据苏州高新区发布消息,5月16日,苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式,本次集中签约项目共21个,涵盖了软件和信息技术...

氮化镓 电源管理 宽禁带半导体

IC设计

已申请3项发明专利!国内8英寸碳化硅单晶取得新突破

近日,中国科学院物理研究所在其官网宣布,已成功研制出单一4H晶型的8英寸SiC晶体,晶坯厚度接近19.6 mm...

碳化硅 化合物半导体 宽禁带半导体

材料/设备

南科大深港微电子学院在宽禁带半导体器件领域取得系列研究进展

近日,南方科技大学深港微电子学院教授于洪宇课题组和助理教授李携曦课题组在宽禁带半导体功率器件领域取得系列进展...

氮化镓 宽禁带半导体

功率器件

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