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新华三集团与澜起科技达成战略合作

据“新华三”消息,近日,紫光股份旗下新华三集团与澜起科技签署战略合作协议,双方将充分发挥各自的技术、业务...

存储器 澜起科技 CPU

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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向客户提供样品进行性能验证

2023年8月21日,SK海力士宣布,公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E*,并开始向客户提供样品进行性能验...

DRAM SK海力士 半导体存储器

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澜起科技MXC芯片率先列入CXL官网合规供应商清单

近日,澜起科技的CXL内存扩展控制器(MXC)芯片成功通过了CXL联盟组织的CXL1.1合规测试,被列入CXL官网的合规供应商清单。澜起科...

存储器 内存 澜起科技

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后摩智能首款RRAM大容量存储芯片成功点亮,并完成测试验证

近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发,探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结...

存储芯片 芯片测试 RRAM

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慧荣科技终止与迈凌合并协议!

8月16日,全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技向迈凌科技(MaxLinear Inc.)发布书面通知,终止2022年5月5日双方所签订的合并...

NAND Flash 半导体存储器 SSD主控芯片

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SK海力士之后,三星300层以上NAND Flash何时亮相?

8月初媒体报道三星正积极投入产品研发,预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层,第十代3D NAND将跳过300层区间达430层...

三星 闪存芯片 NAND Flash

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铠侠子公司推出全球首款浸没式液冷SSD

近期,建兴储存科技(铠侠子公司)推出全球第一款支持浸没式冷却5年保固的SSD产品ER3系列企业级SATASSD。ER3 系列是专为满足...

存储器 SSD 铠侠

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三星或计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

据行业媒体消息,为了克服低迷的存储器市场状况,三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。据ZDNet Korea报道...

三星 闪存芯片 NAND Flash

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SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM

SK海力士11日宣布,公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM(内存) LPDDR5X*(Low Power Double Data...

DRAM SK海力士 NAND Flash

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