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GaN新技术可使散热能力提高2倍以上

近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳化硅(SiC)衬底制造...

半导体技术 氮化镓

功率器件

美国瞄准GaN器件,3500万美元资助公告曝光

12月11日,美国商务部宣布为BAE Systems提供约3500万美元(折合人民币约2.5亿元)的初始资金,用于对新罕布什尔州纳舒厄的微电子...

芯片制造 功率半导体 氮化镓

功率器件

中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产

近日,苏州中科重仪半导体材料有限公司(以下简称“中科重仪”)自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓...

半导体材料 功率半导体 氮化镓

功率器件

2亿人民币!中企拟在俄罗斯投资SiC项目

11月23日,据塔斯社报道,俄罗斯RusKlimat贸易和生产控股集团新闻处发布消息称,一家中国公司计划投资25亿卢布...

碳化硅 氮化镓 第三代半导体

IC设计

重点发展氮化镓,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用

据吴江工信消息,11月20日,英诺赛科(苏州)全球研发中心正式启用,将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地,同时开...

英诺赛科 氮化镓 第三代半导体

功率器件

日本开发新技术,可实现GaN垂直导电

当地时间11月13日,冲电气工业株式会社(OKI)与信越化学合作,宣布成功开发出一种技术,该技术使用OKI的CFB...

功率半导体 氮化镓 第三代半导体

功率器件

江苏加快培育发展未来产业出新政,第三代半导体等被划重点

11月6日,江苏省人民政府出台《关于加快培育发展未来产业的指导意见》,力争到2025年,建设10个未来产业(技术)研究院、未来技术学院...

碳化硅 氮化镓 第三代半导体

材料/设备

誉鸿锦半导体媒体开放日 ,现场见证Super IDM产业效率革命

誉鸿锦半导体在10月27日举办“媒体开放日”活动,就两周前行业发布会上提出的”Super IDM“做了现场产线展示和上下游产业链企业详解。多家...

半导体材料 氮化镓 第三代半导体

制造/封测

氮化镓争夺战火热进行中,规模超60亿元的收购案尘埃落定

今年3月,一场收购案迅速登上氮化镓(GaN)领域头条,因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去...

英飞凌 功率半导体 氮化镓

功率器件

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