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三星相关资讯

三星电子HBM5细节曝光 或采用铜基HPB散热技术 预计2028年实现量产

在Computex 2026电脑展上,三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片HBM5,并首次公开推出了HPB散热方案...

三星 HBM

存储器

三星率先交付首批12层HBM4E样品 性能提升超20%

三星电子宣布,已开始向主要全球客户交付业内首批12层48GB HBM4E样品。在完成初步样品交付和优化后,三星计划根据客户的进度安排开始批量生产HBM4E...

三星

存储器

三星研发出采用铜柱的移动HBM封装技术

三星研发新型多层堆叠扇出晶圆级封装技术,升级铜柱规格提升带宽与堆叠容量;SK海力士同步推进高带宽存储封装方案,适配移动端及XR设备AI算力需求...

三星 HBM

存储器

三星DS事业部拟重启下一代半导体研发投资

据韩媒ETNews报道,三星电子设备解决方案(DS)事业部正商讨恢复下一代半导体技术的研发与设施投资...

三星 闪存 化合物半导体

制造/封测

CPO赛道再添变量:三星入局代工,英伟达联手康宁

近期,光通信领域传出两大消息:三星电子宣布将于下半年启动光子集成电路代工量产,英伟达则向康宁投资5亿美元...

三星 英伟达

制造/封测

全球存储巨头加码 CXL 技术研发 下一代内存赛道竞争全面升温

近期三星电子全新自研CXL内存系统亮相,整体性能较四年前同类产品实现十倍级提升。

三星 CXL

存储器

三星推进 10a DRAM 研发,2028 年量产

据韩媒The Elec报道,三星已于今年3月利用10a DRAM制程完成晶圆试产,并在器件特性测试中验证了芯片可正常工作...

DRAM 三星

存储器

三星西安NAND闪存产量据称下降5%-6%

据朝鲜Biz报道,三星电子位于中国西安的NAND闪存厂区正在进行设备升级改造,晶圆产能出现同比下滑...

三星 NAND Flash

存储器

三星电机、LG加速推进CPO布局 已开展基板关键部件样品测试

近日据韩媒 ETNews 报道,三星电机与 LG Innotek 正加快推进共封装光学技术布局,已从概念阶段进入早期开发环节...

三星 LG集团

制造/封测

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