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关键词:三星

【存储器】三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元,这些晶元使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线,每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps,因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。

三星 内存

存储器

【IC设计】第一季全球前十大晶圆代工营收排名出炉,台积电市占率达48.1%

反观以8英寸晶圆代工为主要业务的高塔半导体、世界先进、华虹半导体、东部高科等业者,尽管8英寸晶圆代工产能供不应求的现象已渐舒缓

三星 台积电 晶圆代工

IC设计

【IC设计】三星强攻先进制程 智原进补

三星晶圆代工亦加快先进制程布局,包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后,今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米,以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器(eMRAM)的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)制程进入量产,并会在今年推进至18纳米。

三星 晶圆代工 EUV光刻机

IC设计

【存储器】10nm工艺,三星正式量产12GB LPDDR4X

三星 (Samsung) 14日正式宣布开始量产大容量行动式DRAM——业界首款12GB LPDDR4X。新款内存适用于未来的高端智能手机,具有比大多数笔记本电脑更大的容量,将带来更极致的性能体验。

三星 存储芯片 行动式内存

存储器

【市场观察】集邦咨询:2018年第四季DRAM产值正式反转向下,原厂获利能力衰退

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,DRAM报价于2018年第四季开始反转向下,造成DRAM整体产业营收下滑...

DRAM 三星 服务器内存

市场观察

【专题报导】【一周热点】中芯国际14纳米将于今年实现量产;Q1智能手机市场进入寒冬;世界先进将收购格芯新加坡Fab 3E厂

1月31日,世界先进集成电路股份有限公司与格芯公司宣布,世界先进公司将购买格芯公司位于新加坡Tampines的Fab 3E 8英寸晶圆厂厂房、厂务设施、机器设备以及MEMS知识产权与业务。

三星 智能手机 格芯

专题报导

【IC设计】台积电、三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

台积电的部分,今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产,而三星的7纳米制程也会采用EUV设备,并在今年进入量产阶段,至于英特尔方面,其7纳米发展进度佳,也确定会导入新一代EUV微影技术,但量产时间可能会落在2020年。

三星 台积电 EUV光刻机

IC设计

【存储器】DRAM厂放缓扩产 集邦估资本支出减1成

集邦科技表示,韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划,三星2019年DRAM投资金额约80亿美元,主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。

DRAM 三星 内存

存储器

【IC设计】三星欲超车台积电 称2020年将量产3纳米技术

存储器市场正面临景气反转的忧虑。日前,外资花旗银行在一份报告中表示,2019 年在 NAND Flash 方面将会降价 45%……

三星 晶圆代工

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