2019-04-16
4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。
2019-04-10
晶圆代工龙头台积电计划在今年启动全球首座5纳米晶圆厂，近日宣布制程进入试产阶段，虽然因景气状况传出厂房投片速度可能放缓，供应链相关人士表示，台积电仍在全力推动5纳米晶圆厂生产状态。
2019-03-29
三星 Exynos 9710 中阶处理器虽然即将发表，依三星过往惯例，可能要有新一代中阶手机问世才有机会看到。至于其他品牌手机采用的机率，更是微乎其微，市场也只能体验到号称 Exynos 9710 的竞争对手——高通骁龙 660 或骁龙 675 等产品。
2019-03-26
根据彭博社报导，三星今 (26) 发出警告表示，第一季业绩可能不如市场预期，因为面板和存储器市场疲软。三星将在下个月初公布业绩，而在业绩公布前提早宣布获利的警讯让市场大出意外，而三星股价在开盘时下滑约 1%。
2019-03-22
在动态随机存取存储器（DRAM）制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后，全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布，首次业界开发第 3 代 10 纳米等级（1Z 纳米制程）8GB 高性能 DRAM。
2019-03-21
三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元，这些晶元使用TSV（通过硅通孔）以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具有1024位总线，每个引脚的数据传输速率为3.2 Gbps，因此每KGSD可提供高达410GB/s的带宽。
2019-03-18
反观以8英寸晶圆代工为主要业务的高塔半导体、世界先进、华虹半导体、东部高科等业者，尽管8英寸晶圆代工产能供不应求的现象已渐舒缓
2019-03-18
三星晶圆代工亦加快先进制程布局，包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后，今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米，以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程进入量产，并会在今年推进至18纳米。
2019-03-15
三星 (Samsung) 14日正式宣布开始量产大容量行动式DRAM——业界首款12GB LPDDR4X。新款内存适用于未来的高端智能手机，具有比大多数笔记本电脑更大的容量，将带来更极致的性能体验。
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