台积电最新资讯动态-全球半导体观察

传三星将斥资10亿美元投资美奥斯汀厂

2017-06-29

三星电子不只备战6纳米，还打算在2020年进入4纳米？韩国消息称，三星砸下10亿美元投资美国德州奥斯汀厂，替制程微缩备战。

三星电子台积电晶圆代工

IC设计

传三星跳级直攻6纳米拟2019年量产

2017-06-28

据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星打算直攻6纳米制程扳回一城。

三星电子高通台积电

IC设计

2018年起联发科16纳米将转单一半给格罗方德?

2017-06-26

2017年4月份，有平面媒体报导，IC设计大厂联发科将在6到8月份期间缩减代工厂台积电28纳米2万片订单的消息。

联发科台积电格罗方德

IC设计

台积电领衔百家集成电路设计企业齐聚江北新区

2017-06-22

6月21日，南京浦口经济开发区台积电项目施工现场，5000多名工人同时忙碌。明年5月，世界大批知名品牌的电子产品将装上这里出产的“芯”。

台积电集成电路展讯通信

IC设计

小米澎湃S2试样完成预计Q3采用台积电16nm制程量产

2017-06-22

才距离“澎湃S1”发布没多久，现在又有消息指出，目前小米第2款自行设计处理器“澎湃S2”已接近准备量产的阶段。

手机芯片台积电

IC设计

7纳米争夺战打响：台积电略胜一筹中芯也要入战局？

2017-06-21

业界普遍认为10nm是一个过渡性的工艺节点，因此对下一代7nm的争夺就变得激烈起来。

台积电格罗方德

IC设计

AMD乐了：格罗方德2018年量产7nm 性能提升40%

2017-06-20

全球第三大晶圆代工厂格罗方德（Globalfoundries）直接跳过了10nm工艺，直接奔向高性能的7nm工艺节点。

三星电子台积电格罗方德

IC设计

三星将先于台积电引入EUV工艺在先进工艺上赢得领先优势

2017-06-19

台积电因连续在14/16nmFinFET、10nm工艺上落后于三星，其急于在7nm工艺上取得领先优势。

三星电子台积电 EUV光刻机

IC设计

对于下半年半导体市况各大佬有何想法？

2017-06-19

重量级半导体厂股东常会陆续登场，对于下半年产业景气，产业大佬普遍看好。

联发科台积电南亚科

IC设计

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