2022-05-19
5月13日，中国科学院院士、北京大学教授王阳元在人民日报撰文，题为：集成电路——社会信息化的“引擎”。王阳元教授在文章中指出，当前...
2022-05-10
据科技日报报道，近日，南京大学王欣然教授团队与东南大学王金兰教授团队合作，实现了厘米级均匀的双层二硫化钼薄膜可控外延生长，该成果...
2022-04-12
根据外电报道，近期在《自然》期刊上所发表的一项研究中，加州大学柏克莱分校的研究人员表示，对芯片的晶体管设计有了重大突破...
2022-04-06
近日，中国科学院化学研究所绿色印刷院重点实验室宋延林课题组提出了利用微观弯液面形变及沉积操控实现单一取向晶体薄膜...
2022-03-11
近日，清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管...
2021-09-24
外媒报导，下世代半导体先进制程技术，研究人员已在开发称为“CasFET”的制程技术，除了更低开关电压、更低功耗和更高密度设计...
2019-05-22
为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI(完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管)结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统...
2019-02-11
使用多个平行处理核心，就能提高运算性能。由于摩尔定律仍持续进展，而且使CMOS技术能够在每代工艺提高约2倍的晶体管密度，从而降低了每一世代中的每个晶体管成本。
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