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关键词:EUV光刻机

【IC设计】三星强攻先进制程 智原进补

三星晶圆代工亦加快先进制程布局,包括8纳米及7纳米逻辑制程进入量产后,今年将推进至采用EUV技术的5/4纳米,以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器(eMRAM)的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅(FD-SOI)制程进入量产,并会在今年推进至18纳米。

三星 晶圆代工 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】台积电抢下今年EUV过半出货量,力拼二代7nm与5nm量产

半导体设备大厂荷兰商艾司摩尔 (ASML) 在财报会议上表示,2019 年 ASML 将把极紫外光刻机 (EUV) 的年出货量从 18 台,提升到30 台之后,现有外国媒体报导,晶圆代工龙头台积电将抢下这 30 台 EUV 中过半的 18 台数量,

台积电 晶圆代工 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】ASML今年计划出货30台EUV设备

1月23日,全球光刻机巨头ASML发布其2018年第四季度及全年业绩。数据显示,2018年第四季度ASML实现净销售额31亿欧元,净收入7.88亿欧元,毛利率为44.3%...

ASML 半导体设备 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】三星7nm工艺确认下半年量产 2021年冲3nm GAA量产

先进制程的发展方面,根据三星高层表示,将在 2019 下半年量产内含 EUV技术的 7 纳米制程,而 2021 年量产更先进的 3 纳米 GAA 制程。

三星电子 晶圆代工 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】英特尔在7nm将依靠EUV技术实现

随着晶圆代工厂台积电及记忆体厂三星电子的7纳米逻辑制程均支援极紫外光(EUV)微影技术,并会在2019年进入量产阶段,半导体龙头英特尔也确定正在开发中的7纳米制程会支援新一代EUV技术。

芯片制造 英特尔 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】台积电、三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

台积电的部分,今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产,而三星的7纳米制程也会采用EUV设备,并在今年进入量产阶段,至于英特尔方面,其7纳米发展进度佳,也确定会导入新一代EUV微影技术,但量产时间可能会落在2020年。

三星 台积电 EUV光刻机

IC设计

【IC设计】三星7nm EUV工艺获IBM青睐,将代工Power处理器

早前有消息称IBM也选择了台积电的7nm代工Power处理器,不过IBM、三星今天联合宣布扩大战略合作关系,三星将使用7nm EUV工艺为IBM代工Power处理器...

三星电子 IBM EUV光刻机

IC设计

【IC设计】中国首台ASML NXT2000i正式入驻SK海力士无锡工厂

此前,光刻机霸主艾司摩尔(ASML)中国区总裁沈波在中国集成电路制造年会上表示,今年下半年艾司摩尔已开始出货家族最先进的NXT2000i,很快会在中国...

SK海力士 ASML EUV光刻机

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【IC设计】英特尔否认10nm工艺缩水 7nm EUV工艺不会延期

2018年对英特尔来说是艰难的一年,遭遇了X86漏洞、CEO被炒、14nm产能不足等问题,不过对英特尔伤害最大的还是10nm工艺不断延期……

EUV光刻机 英特尔处理器

IC设计

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