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佰维存储在合肥成立芯势力半导体公司

该公司由科创板上市企业佰维存储旗下杭州芯势力半导体有限公司全资持股...

佰维存储

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新紫光发布“紫弦”三维近存架构

近日,新紫光集团在北京举办首届创新峰会,旗下前沿技术研究院正式发布自研“紫弦”三维化近存计算(PNM)架构...

紫光集团

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内存需求激增!全球科技巨头竞逐SK海力士产能

据路透社报道,SK海力士已引发全球科技巨头的广泛关注,潜在客户纷纷提出为其新建生产线提供资金、甚至分担昂贵制造设备成本,以此锁定未来内存供应...

SK海力士

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挑战HBM主流地位!英特尔押注ZAM内存技术

英特尔Z-Angle Memory技术已接近研发完成,正全力投入AI市场浪潮,试图挑战HBM作为高带宽内存主流方案的地位...

英特尔 HBM

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铠侠闪迪实现技术突破,千层 3D NAND 研发迈出关键一步

铠侠和闪迪将展示采用多层堆叠单元架构的QLC NAND闪存,目标是1000层以上...

闪存 闪迪SanDisk 铠侠

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三星 SK 海力士美光齐发力,DDR6 内存正式启动前期研发

据业内媒体消息,三星电子、SK 海力士、美光三大存储龙头近期已向内存基板供应商下达需求,正式开启 DDR6 早期联合开发...

GDDR6

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韩媒:SK海力士完成12层混合键合HBM验证

据外媒The Elec报道,SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善,不过公司并未披露具体良率数值...

SK海力士 HBM

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全球存储巨头加码 CXL 技术研发 下一代内存赛道竞争全面升温

近期三星电子全新自研CXL内存系统亮相,整体性能较四年前同类产品实现十倍级提升。

三星 CXL

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澜起科技Q1净利增超60% DDR5 RCD芯片出货量增加

4月27日晚间,澜起科技发布2026 年第一季度报告,澜起科技实现营业收入14.61亿元,同比增长19.5%...

澜起科技 DDR5

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