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三星或采用2nm工艺开发HBM5

据韩国媒体 BusinessKorea 报道,三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片采用2纳米工艺...

三星 HBM

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SK集团董事长:存储芯片短缺或持续至2030年

韩国SK集团董事长崔泰源表示,由于芯片生产存在系统性瓶颈,他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030 年...

SK海力士 存储芯片

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慧荣科技参展GTC2026,多层级存储方案赋能NVIDIA AI生态系统

慧荣科技今日宣布将在NVIDIA GTC 2026的3015号展台展示丰富的差异化企业级SSD主控芯片和PCIe NVMe BGA启动SSD产品组合…

存储器 闪存 SSD主控芯片

存储器

SK海力士亮相英伟达GTC 2026,展示面向AI的存储器竞争力

SK海力士表示:“公司在人工智能训练与推理领域,将能够最大限度缓解数据瓶颈、提升系统性能的存储器产品集成至英伟达的AI基础设施中。本次展会将以...

SK海力士 英伟达 HBM

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V-COLOR推出适用于AMD Ryzen游戏平台的1+1 DDR5内存与RGB虚拟灯条配套方案

v-color 全何科技正式推出全新 1+1 DDR5 内存与虚拟灯条解决方案,带来更聪明、更具弹性的升级选择...

内存

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慧荣科技推出SM8008:业界首款PCIe Gen5企业级启动与超低功耗主控芯片

慧荣科技今日宣布推出SM8008,这是一款PCIe Gen5 x4 NVMe企业级SSD主控芯片,专为数据中心启动驱动器和对功耗敏感的企业级存储应用而...

存储器 闪存 SSD主控芯片

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三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存

3月13日,据媒体援引未具名业内人士的话报道,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片...

三星 闪存 英伟达

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中微半导:NOR Flash芯片已于2025年底量产

中微半导3月10日披露,公司于3月5日接受了70家机构的调研。公司表示,上个月发布的4M的SPI NOR Flash(闪存)于2014年11月立项研发...

NOR Flash 闪存

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应用材料携手SK海力士、美光,合作开发存储芯片

应用材料表示,已与存储芯片公司美光科技和SK海力士达成合作,共同开发下一代AI存储芯片...

SK海力士 应用材料 美光科技

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