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AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，2H26缺货风险提升
Q3存储器价格涨幅收敛：一般型DRAM季增13-18%，NAND Flash季增10-15%
AI零部件产能排挤、大厂减产加剧，预估晶圆代工成熟制程涨价效应延伸至2027年
英伟达800V Power Rack成Vera Rubin选用方案，预估至Rubin Ultra世代扩大采用
Consumer DRAM紧缺态势延伸DDR2产品，第三季合约价将进一步上涨35-40%
2026-06-24
近日，群联电子执行长潘健成表示，当前全球NAND Flash整体供给持续收紧，市场缺货程度深不见底...
群联电子
存储器
UFS 5.0基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术打造，产品研发全程围绕端侧本地AI运行需求完成专项优化...
三星电子
三星电子HBM4于2026年2月12日在韩国忠南天安园区完成全球首发并启动大规模量产出货...
三星 HBM4
2026-06-23
长存资本（武汉）投资管理有限公司发生工商变更，注册资本由3亿人民币增至约8.1亿人民币...
长江存储
三星电子平泽半导体园区P5 Fab2工地已批量进驻打桩机，项目动工时间较最初规划提前半年...
三星
2026-06-22
6月17日，重庆市市场监督管理总局披露了武汉光谷半导体产业投资有限公司收购武汉新芯集成电路股份有限公司股权案...
武汉新芯
澜起科技在投资者互动平台答复投资者提问，披露DDR5第六子代寄存时钟驱动器芯片已向全球客户完成送样。
澜起科技
证监会官网IPO辅导公示系统显示，英韧科技股份有限公司及辅导券商国泰海通向上海证监局提交了《辅导工作完成报告》...
2026-06-19
三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备...
NAND FLASH ( 2026/7/21 18:24:56 )
DRAM ( 2026/7/21 18:24:56 )
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