2026-05-26
据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道，铠侠将第十代BiCS FLASH（BiCS10）3D NAND闪存量产计划推迟至2027年
2026-05-26
据韩媒ETNews报道，三星电子宣布利用单元多层键合（CMB） 技术，成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型...
2026-05-26
2026年5月26日，SK海力士宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量.....
2026-05-25
英特尔与软银旗下SAIMEMORY合作研发的Z-Angle Memory（ZAM）技术持续引发业界高度关注...
2026-05-25
AI算力扩容推高内存需求，传统堆叠架构逼近上限，业界尝试以光链路分离封装GPU与HBM，新型架构仍面临微型化技术难题...
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