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韩媒:SK海力士完成12层混合键合HBM验证

据外媒The Elec报道,SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善,不过公司并未披露具体良率数值...

SK海力士 HBM

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全球存储巨头加码 CXL 技术研发 下一代内存赛道竞争全面升温

近期三星电子全新自研CXL内存系统亮相,整体性能较四年前同类产品实现十倍级提升。

三星 CXL

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澜起科技Q1净利增超60% DDR5 RCD芯片出货量增加

4月27日晚间,澜起科技发布2026 年第一季度报告,澜起科技实现营业收入14.61亿元,同比增长19.5%...

澜起科技 DDR5

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JEDEC公布LPDDR6路线图

4月23日,固态技术协会JEDEC宣布,计划对下一版JESD209-6 LPDDR6标准进行重大更新...

DDR

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三星推进 10a DRAM 研发,2028 年量产

据韩媒The Elec报道,三星已于今年3月利用10a DRAM制程完成晶圆试产,并在器件特性测试中验证了芯片可正常工作...

DRAM 三星

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SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖,“推动HBM创新以引领AI计算发展”

SK海力士凭借实现各代HBM产品的稳定量产,并为全球AI计算生态系统的发展作出积极贡献而获得认可...

DRAM SK海力士 NAND Flash

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智驾应用带来海量数据挑战,慧荣科技携多款车规级新品亮相2026北京车展

4月24日,备受瞩目的2026北京国际汽车展览会拉开帷幕。此次车展以“领时代·智未来”为主题,受到了很多汽车行业内外人士的关注…

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三星西安NAND闪存产量据称下降5%-6%

据朝鲜Biz报道,三星电子位于中国西安的NAND闪存厂区正在进行设备升级改造,晶圆产能出现同比下滑...

三星 NAND Flash

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SK海力士发布2026财年第一季度财务报告

公司2026财年第一季度营业收入为52.5763万亿韩元,营业利润为37.6103万亿韩元,净利润为40.3459万亿韩元...

DRAM SK海力士

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