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三星宣布推出1Z纳米制程 DRAM,2019 年下半年开始大量生产

在动态随机存取存储器(DRAM)制程陆续进入 1X 及 1Y 制程领域之后,全球 DRAM 龙头南韩三星 21 日宣布,首次业界开发第 3 代 10 ...

DRAM 三星

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市况低迷!传东芝存储器放弃9月IPO计划

路透社 20 日报导,关系人士指出,TMC IPO 时间将从原先计划的 2019 年 9 月延后至 2019 年 11 月,且视市场环境而定、也有可能...

NAND Flash 东芝存储器 东芝Toshiba

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美光Q2营收超乎预期,预计今年Q4存储器将再回温

为了因应这样的市场变化,美光已开始执行支出削减计划,并表示成本控制将有助于抵销芯片价格下降造成的影响,目前美光称已暂停部分工厂产线,以协助保持利润的回...

DRAM NAND Flash 美光Micron

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SK海力士与无锡打造高端学校项目,半导体二工厂即将量产

签约仪式现场,SK海力士株式会社社长李锡熙还透露,SK海力士无锡半导体二工厂已顺利实施,如期竣工,并将在近期正式量产。据悉,SK海力士无锡半导体二工厂...

SK海力士

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落实“一芯两带三区”战略布局 全力提速国家存储器基地建设

20日,湖北武汉市召开集成电路领导小组第一次会议,市委副书记、市长周先旺出席会议强调,要提高政治站位,落实“一芯两带三区”战略布局,全力提速国家存储器...

集成电路 长江存储 存储技术

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三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元,这些晶元使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具...

三星 内存

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NAND Flash厂商Q2业绩将回升

受到服务器需求疲弱、智能型手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,本季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%,是自20...

SSD固态硬盘 NAND Flash

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