存储器资讯-第7页-全球半导体观察

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零部件交期拉长抑制通用型服务器成长动能，预估2026年整体服务器出货量年增13%
供应链尚需调校增添Rubin延迟风险，2026年Blackwell将占英伟达高端GPU出货量超7成
产能有限叠加订单转移效应，三月份Consumer DRAM价格涨幅集中在4Gb以下产品
AI算力需求支撑，2025年全球前十大IC设计厂营收年增44%
AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，CSP借长期协议锁定供货

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挑战HBM主流地位！英特尔押注ZAM内存技术

2026-05-08

英特尔Z-Angle Memory技术已接近研发完成，正全力投入AI市场浪潮，试图挑战HBM作为高带宽内存主流方案的地位...

铠侠闪迪实现技术突破，千层 3D NAND 研发迈出关键一步

2026-05-06

铠侠和闪迪将展示采用多层堆叠单元架构的QLC NAND闪存，目标是1000层以上...

闪存闪迪SanDisk 铠侠

三星 SK 海力士美光齐发力，DDR6 内存正式启动前期研发

2026-05-06

据业内媒体消息，三星电子、SK 海力士、美光三大存储龙头近期已向内存基板供应商下达需求，正式开启 DDR6 早期联合开发...

韩媒：SK海力士完成12层混合键合HBM验证

2026-05-01

据外媒The Elec报道，SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善，不过公司并未披露具体良率数值...

SK海力士 HBM

全球存储巨头加码 CXL 技术研发下一代内存赛道竞争全面升温

2026-04-29

近期三星电子全新自研CXL内存系统亮相，整体性能较四年前同类产品实现十倍级提升。

澜起科技Q1净利增超60% DDR5 RCD芯片出货量增加

2026-04-28

4月27日晚间，澜起科技发布2026 年第一季度报告，澜起科技实现营业收入14.61亿元，同比增长19.5%...

澜起科技 DDR5

JEDEC公布LPDDR6路线图

2026-04-27

4月23日，固态技术协会JEDEC宣布，计划对下一版JESD209-6 LPDDR6标准进行重大更新...

三星推进 10a DRAM 研发，2028 年量产

2026-04-27

据韩媒The Elec报道，三星已于今年3月利用10a DRAM制程完成晶圆试产，并在器件特性测试中验证了芯片可正常工作...

SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖，“推动HBM创新以引领AI计算发展”

2026-04-26

SK海力士凭借实现各代HBM产品的稳定量产，并为全球AI计算生态系统的发展作出积极贡献而获得认可...

DRAM SK海力士 NAND Flash

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