存储器资讯-第60页-全球半导体观察

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零部件交期拉长抑制通用型服务器成长动能，预估2026年整体服务器出货量年增13%
供应链尚需调校增添Rubin延迟风险，2026年Blackwell将占英伟达高端GPU出货量超7成
产能有限叠加订单转移效应，三月份Consumer DRAM价格涨幅集中在4Gb以下产品
AI算力需求支撑，2025年全球前十大IC设计厂营收年增44%
AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，CSP借长期协议锁定供货

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NEO发表最新3D X-AI芯片，新技术可取代HBM？

2024-08-15

专注于3D DRAM、3D NAND存储器厂NEO Semiconductor发表最新3D X-AI芯片技术，取代目前用于AI GPU加速器的HBM....

存储技术 3D DRAM HBM

我国存储技术突破！

2024-08-14

近日，复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺，可实现20纳秒超快编程、10年非易失....

存储器存储技术国产芯片

存储大厂启动平泽P4工厂1c纳米DRAM产线

2024-08-14

据韩媒引述业界消息称，已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动，目标是明年6月投入运营，生....

半导体存储产业开启“狂飙”模式？

2024-08-13

近日，从SK海力士、铠侠、三星、美光等厂商释放的信号来看，存储产业迈入上行周期的确定性进一步提升....

SK海力士半导体存储器铠侠

清华团队发布3D DRAM存算一体架构！

2024-08-12

近日，清华大学集成电路学院在2024 ACM/IEEE第51届年度计算机体系结构国际研讨会(ISCA)上发表了国际首款面向视觉AI大模型的....

DRAM 存储技术 3D DRAM

存储亮剑！NAND技术多点突破

2024-08-08

近日恰逢全球存储会议FMS 2024（the Future of Memory and Storage）举行，诸多存储领域议题与前沿技术悉数亮相。其中...

NAND Flash 存储芯片存储技术

存储大厂宣布量产12nm LPDDR5X DRAM封装

2024-08-06

韩国存储器大厂三星宣布，开始大规模生产全球业界最薄12纳米级LPDDR5X DRAM封装，巩固低功耗DRAM市场领导地位。四层堆叠....

DRAM 存储器三星

铠侠北上市新NAND闪存工厂大楼竣工

2024-08-02

8月1日，存储芯片厂商铠侠（Kioxia）宣布，其位于日本岩手县北上市工厂Fab 2（K2）已于7月完工....

存储芯片闪存铠侠

闪存大厂财报公布

2024-08-01

7月31日，西部数据（Western Digital）公布最新财报，上季营收、获利均超出市场预期....

存储器闪存西部数据

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