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美光向美商务部提出资金申请,以支持存储器芯片制造厂建设

美光于8月21日表示,需要联邦政府资金和投资税收抵免来发展其位于爱达荷州首府波伊西(Boise)和纽约州的存储器芯片制造厂...

芯片制造 半导体存储器 美光科技

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芝奇推出DDR5-6400 CL32 AMD EXPO高速内存套装

2023年08月22日,芝奇国际因应AM5平台最新 AGESA 1.0.0.7c所带来的更强内存超频效能,宣布提升旗下专为AM5平台打造的...

半导体存储器 芝奇国际 DDR5

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外媒:存储大厂目标年底NAND库存正常化

据韩媒引述业内人士21日透露,三星已制定生产计划,目标年底NAND库存正常化,即6-8周...

三星 NAND Flash 闪存

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新华三集团与澜起科技达成战略合作

据“新华三”消息,近日,紫光股份旗下新华三集团与澜起科技签署战略合作协议,双方将充分发挥各自的技术、业务...

存储器 澜起科技 CPU

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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向客户提供样品进行性能验证

2023年8月21日,SK海力士宣布,公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E*,并开始向客户提供样品进行性能验...

DRAM SK海力士 半导体存储器

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澜起科技MXC芯片率先列入CXL官网合规供应商清单

近日,澜起科技的CXL内存扩展控制器(MXC)芯片成功通过了CXL联盟组织的CXL1.1合规测试,被列入CXL官网的合规供应商清单。澜起科...

存储器 内存 澜起科技

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后摩智能首款RRAM大容量存储芯片成功点亮,并完成测试验证

近期,后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发,探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结...

存储芯片 芯片测试 RRAM

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慧荣科技终止与迈凌合并协议!

8月16日,全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技向迈凌科技(MaxLinear Inc.)发布书面通知,终止2022年5月5日双方所签订的合并...

NAND Flash 半导体存储器 SSD主控芯片

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SK海力士之后,三星300层以上NAND Flash何时亮相?

8月初媒体报道三星正积极投入产品研发,预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层,第十代3D NAND将跳过300层区间达430层...

三星 闪存芯片 NAND Flash

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