注册

三星相关资讯

传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？

2023-08-31

据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星...

三星闪存芯片 NAND Flash

三星或将代工特斯拉第五代自动驾驶芯片

2023-08-30

8月29日韩媒引述业界消息报道，三星电子有较高几率拿下特斯拉第五代自动驾驶芯片Hardware 5订单，该芯片将采用4纳米工艺...

三星自动驾驶汽车芯片

韩国工业部已与三星电子等签署谅解备忘录，合作开发先进半导体封装技术

2023-08-30

据韩媒《BusinessKorea》报道，8月29日，韩国产业通商资源部（MOTIE）宣布，与半导体公司和组织签署协议，合作开发先进封装技...

三星半导体封装半导体技术

存储大厂发力GDDR7！

2023-08-29

随着全球游戏市场不断增长，三星、美光等均加大力度研发针对下一代游戏显卡的GDDR7显存...

三星 DRAM芯片内存

三星电子发布PRO Ultimate系列存储卡

2023-08-29

2023年8月29日，三星电子宣布发布其新款UHS-I存储卡“PRO Ultimate”。MicroSD存储卡和SD存储卡两款产品可供选择...

存储器三星

英特尔积极扩产先进封装，挑战三星台积电？

2023-08-25

据外媒消息，英特尔副总裁兼亚太区总经理Steven Long表示，目前英特尔正在马来西亚槟城兴建最新的封装厂，强化2.5D/3D封装布局...

三星英特尔先进封装

台积电产能紧缺，三星或将为AMD提供封装、HBM服务

2023-08-23

近期，韩媒报道三星电子第四代HBM（HBM3）以及封装服务已经通过AMD品质测试....

三星超微AMD 先进封装

外媒：存储大厂目标年底NAND库存正常化

2023-08-22

据韩媒引述业内人士21日透露，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周...

三星 NAND Flash 闪存

SK海力士之后，三星300层以上NAND Flash何时亮相？

2023-08-17

8月初媒体报道三星正积极投入产品研发，预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层，第十代3D NAND将跳过300层区间达430层...

三星闪存芯片 NAND Flash

< 17 181920 21 22......49 >

粤公网安备 44030402006426号