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先进制程之战:三星/英特尔/台积电动态跟踪

近期,三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露,已开始跟大型芯片客户接洽,准备提供1.4nm及2nm制程的服务...

三星 台积电 英特尔

制造/封测

三星明年将推300层以上V-NAND

存储器大厂三星分享 V-NAND(即 3D NAND)发展计划,证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,这将是业界最高层数...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂

据外媒消息,三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。报道中称,三星已开始采购最新的半导体设备...

三星 NAND Flash 存储芯片

存储器

传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存

,三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产...

三星 DRAM芯片 NAND Flash

存储器

三星人事变动,瞄准碳化硅!

10月16日,根据韩媒ETNEWS的报道,三星电子近期聘请安森美半导体前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁,负责监督SiC功率半导体...

三星 功率半导体 碳化硅

功率器件

三星展示Exynos 2400处理器,CPU性能提速70%

10月9日,三星在System LSI Tech Day 2023活动上展示Exynos 2400处理器。该处理器CPU性能比Exynos 2200快70%...

三星 三星Exynos处理器 CPU

IC设计

AI热潮助力,三星与多家厂商达成代工合作

据外媒《kedglobal》报道,近日,专注于研发AI芯片的韩国Fabless公司Rebellions宣布与三星电子建立战略合作伙伴关系,共同研发下一代人工智能芯片Rebe....

三星 AI芯片 AI

IC设计

三星8英寸厂3成机台停机,传年底重启明年Q1恢复运转

由于8英寸晶圆代工需求不振,截至第二季,三星电子晶圆代工事业Samsung Foundry产能利用率不到50%。业界人士透露,目前...

三星 晶圆代工 IC制造

制造/封测

开启内存模组新未来?存储大厂推出LPCAMM解决方案

9月26日,三星电子宣布已开发出其首款 7.5Gbps(千兆字节每秒)低功耗压缩附加内存模组(LPCAMM)形态规格,该研发成果已在英...

三星 半导体存储器 内存

存储器

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