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联和存储完成数亿元A轮融资,加速系统化战略布局

8月8日,联和存储宣布已于2022年初完成数亿元的A轮融资。此轮融资由深圳国虹领投,凯盈资本、万物为、无锡新尚等机构跟投...

存储芯片 存储技术

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巨头公布下一代存储技术!两款企业级SSD已进入量产阶段

近期,三星电子公布了最新财报,并在全球闪存峰会(Flash Memory Summit,FMS)上公布了一系列存储技术...

三星电子 SSD 存储技术

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铠侠第二代XL-FLASH™预计今年11月送样,明年量产

8月2日,铠侠宣布推出第二代基于BiCS 3D闪存技术的存储级存储器(SCM)XL-FLASH™,可显着降低平均bit成本,同时提供高性能、低延迟存储...

存储器 NAND Flash 铠侠

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NAND闪存芯片进入革新时代

近日,美光和SK海力士相继官宣,其NAND闪存芯片对堆叠层数突破200层限制。其中,美光的闪存芯片由232层存储单元组成...

SK海力士 闪存芯片 NAND Flash

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美光车规级LPDDR5 、UFS 3.1产品已应用于理想L9

8月3日, 美光科技宣布,其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺...

存储器 DDR 美光科技

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Solidigm正式推出首款消费级SSD 采用144层3D NAND

8月3日,NAND闪存解决方案提供商Solidigm于今日正式推出Solidigm™ P41 Plus固态盘(SSD)。这也是Solidigm自202...

SSD固态硬盘 NAND Flash PC

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这家国产存储大厂第四代TLC 3D NAND正式发布,供应链:232层

8月3日,长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈®(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。相比长江存储...

长江存储 闪存 存储技术

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国内又一存储集成电路产业基地开工,预计2024年底建成投产

2022年8月2日下午,时创意举办“存储集成电路产业基地”项目开工奠基仪式。今年初,时创意成功通过产业遴选获批“存储集成电路产业基地”项目用地...

存储芯片 半导体存储器 时创意

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SK海力士成功研发全球最高层238层4D NAND闪存

近日,SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正...

存储器 SK海力士 NAND Flash

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