存储器资讯-第49页-全球半导体观察

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零部件交期拉长抑制通用型服务器成长动能，预估2026年整体服务器出货量年增13%
供应链尚需调校增添Rubin延迟风险，2026年Blackwell将占英伟达高端GPU出货量超7成
产能有限叠加订单转移效应，三月份Consumer DRAM价格涨幅集中在4Gb以下产品
AI算力需求支撑，2025年全球前十大IC设计厂营收年增44%
AI服务器需求支撑2026年第二季度存储器合约价上行，CSP借长期协议锁定供货

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SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

2024-09-26

9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先开始量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM*产品中最大**的36GB（千兆字节）容量...

DRAM SK海力士 HBM

MTS2025即将启幕！深度剖析存储市场与技术，共襄产业盛举

2024-09-25

2024年11月20日（周三），TrendForce集邦咨询将于深圳举办“MTS2025存储产业趋势研讨会 (Memory Trend Seminar...

DRAM 存储器半导体

三星推出基于第8代V-NAND闪存的车载PCIe 4.0 SSD

2024-09-25

三星的主要合作伙伴正在对256GB AM9C1车载SSD的样品进行测试，预计今年年底开始量产...

SK海力士CXL优化解决方案成功搭载于全球最大开源操作系统Linux

2024-09-23

9月23日，SK海力士宣布，公司已将用于优化CXL*（Compute Express Link）存储器运行的自研软件异构存储器软件开发套....

SK海力士半导体存储器 CXL

三星宣布PCIe 5.0 NVMe SSD量产

2024-09-20

该款SSD基于三星5nm工艺的主控芯片和第8代V-NAND闪存技术，可提供强大的性能和更高的功率效率...

NAND闪存，迎新局

2024-09-14

2024年的存储市场风云变幻，整体上传出很多好声音，合约价格上涨、原厂营收明显增长、技术多点突破...在此之下，存储大厂的每....

三星 NAND Flash 存储芯片

三星量产1Tb QLC 第九代 V-NAND 闪存

2024-09-14

继2024年4月制造出全球首款TLC的第九代V-NAND之后，三星也已开始量产QLC第九代V-NAND...

北京大学研究团队在忆阻器电路领域取得重要进展

2024-09-14

近日，北京大学集成电路学院、人工智能研究院，集成电路高精尖创新中心研究团队在Nature Communication杂志上在线发表了题为“An eme...

存储器芯片设计

我国存储市场春又来

2024-09-12

存储行业被称为半导体产业“风向标”。迈过了2022年至2023年的行业低谷，从去年年末开始至今年二季度，存储国产存储厂商财报....

半导体存储器国产芯片 AI

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