功率器件资讯-第80页-全球半导体观察

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AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高，2H26缺货风险提升
Q3存储器价格涨幅收敛：一般型DRAM季增13-18%，NAND Flash季增10-15%
AI零部件产能排挤、大厂减产加剧，预估晶圆代工成熟制程涨价效应延伸至2027年
英伟达800V Power Rack成Vera Rubin选用方案，预估至Rubin Ultra世代扩大采用
Consumer DRAM紧缺态势延伸DDR2产品，第三季合约价将进一步上涨35-40%

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加码车用功率半导体，东芝、吉利各自宣布新计划

2022-12-20

当前，随着智能汽车，新能源汽车的加速发展，车用功率半导体成为各大厂商竞争的赛道之一，而近期，东芝、吉利等企业各自宣布了新的投资...

功率半导体东芝车用半导体

55所牵头！这个氮化镓项目获批国家重点研发计划项目

2022-12-20

近日，国家科技部公布了2022年国家重点研发计划立项资助名单。55所牵头承担的“宽带射频功率放大器”项目成功获批...

氮化镓第三代半导体

浙江旺荣半导体8英寸功率器件项目月底结顶

2022-12-20

据丽水经济技术开发区消息，浙江旺荣半导体有限公司（以下简称“旺荣半导体”）年产24万片8英寸功率器件半导体项目（一期）厂房主体...

晶圆制造功率半导体

中科院院士郝跃：未来10年氧化镓器件有望直接与碳化硅器件竞争

2022-12-19

近日，中科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）...

半导体材料半导体元器件氧化镓

吉利旗下公司完成Pre-A轮融资主要用于功率半导体模块的研发投入等

2022-12-19

近日，吉利科技集团旗下浙江晶能微电子宣布完成Pre-A轮融资。本轮融资由华登国际领投，高榕资本等机构跟投...

功率半导体 IGBT MOSFET

英诺赛科出货量破亿！

2022-12-16

据外媒报道，英诺赛科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出货量已突破1亿，其8英寸晶圆产线自2019年开始大规模生产...

晶圆英诺赛科氮化镓

青铜剑科技大厦封顶建设第三代半导体产业基地

2022-12-16

据青铜剑集团消息，2022年12月14日，青铜剑科技大厦封顶，标志着项目建设取得阶段性进展...

碳化硅第三代半导体

中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展

2022-12-13

近日，第68届IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM,国际电子器件大会)在美国旧金山召开。...

功率半导体半导体元器件氧化镓

复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

2022-12-12

复旦大学微电子学院朱颢研究团队针对上述晶体管器件技术的关键需求，与美国国家标准与技术研究院（NIST）及美国乔治梅森大学合作，提出了...

晶体管上海复旦微电子 MOSFET

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