存储器资讯-第401页-全球半导体观察

台积电首次揭露次世代存储器研发进程明后年风险生产

2017-06-05

晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及存储器市场。台积电这次重返存储器市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代存储器，因传...

台积电晶圆代工半导体存储器

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2017 GSA Memory+论坛以“转折点”为主题圆满落幕

2017-06-02

6月1日，全球半导体联盟（GSA）于上海浦东嘉里酒店3F上海大宴会厅举办GSA存储器+论坛（Memory+Conference），作为代表半导体产业声...

紫光集团半导体存储器

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NAND Flash持续缺货 Q1品牌商营收仅微幅衰退0.4%

2017-06-02

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，第一季整体NAND Flash市况延续第四季持续受到缺货影响，即使第一季度为传统NAND Fl...

SK海力士三星电子 NAND Flash

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大让步？传西数愿对东芝提供资金援助、建3D NAND Flash新厂

2017-06-02

为了阻止东芝(Toshiba)将半导体事业卖给第三方，东芝合作伙伴、共同营运NAND型快闪存储器(Flash Memory)主要据点“四日市工厂”的W...

西数硬盘 NAND Flash 东芝

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群联子公司合肥兆芯拟开放陆资入股

2017-06-01

为寻求更多合作机会，群联董事长潘健成透露，旗下大陆子公司合肥兆芯考虑开放陆入股，惟释股比例与对象尚未确定。

群联 NAND Flash

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力晶黄崇仁谈DRAM：未来几年都会缺货

2017-06-01

力晶集团董事长黄崇仁预料未来几年，DRAM都会缺货，产业荣景会持续下去，绝不会只有两年。

力晶 DRAM 摩尔定律

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追赶三星！美光力拼13纳米DRAM、SK海力士冲刺18纳米

2017-06-01

三星电子制程领先，率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。竞争对手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。

SK海力士三星电子美光科技

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AI存储器商机可期传三星拟大幅增产DRAM

2017-06-01

专为高效能AI（人工智能）处理器与服务器打造的3D堆叠DRAM，传三星计划增产三十倍。

DRAM 三星电子人工智能

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90亿美元!三星拟扩充西安NAND Flash产能

2017-05-31

三星电子5月29日表示，正考虑在中国西安的生产基地扩充存储芯片产能。因应相关产业对存储芯片的需求。

三星电子 NAND Flash 存储芯片

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台积电首次揭露次世代存储器研发进程明后年风险生产

2017 GSA Memory+论坛以“转折点”为主题圆满落幕

NAND Flash持续缺货 Q1品牌商营收仅微幅衰退0.4%

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