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英飞凌推迟8英寸碳化硅晶圆厂二期建设

该公司在2025财年将减少10%的投资,预计投资额为25亿欧元,并将推迟...

英飞凌 碳化硅

功率器件

8英寸碳化硅!天科合达北京二期项目正式开工

二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地;项目总占地面积52790.032m2

碳化硅

功率器件

康佳进军第三代半导体封测

近日,据盐城网消息,康佳芯云半导体科技(盐城)有限公司(下文简称“康佳芯云”)负责人在接受采访时表示,公司正在推动对第三代半导...

功率器件

中国团队第三代半导体研发实现新突破

近日,松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队....

第三代半导体

功率器件

天岳先进官宣:液相法P型碳化硅衬底成功交付

高质量低阻P型碳化硅衬底将加速高性能SiC-IGBT的发展进程...

功率器件

国内实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破

得益于AlN单晶复合衬底的材料优势 (位错密度居于2×108 cm-2数量级),AlGaN缓冲层厚度降至...

晶圆制造

功率器件

世界先进董事长:碳化硅芯片代工没有降价

未来公司在化合物半导体端不会缺席,旗下氮化镓(GaN)今年实现量产,而随着碳化硅(SiC)衬底价格下降...

碳化硅 世界先进

功率器件

价值超30亿,美国厂商Pallidus终止碳化硅项目

公司此前计划投资4.43亿美元(折合人民币约31.53亿元),生产碳化硅粉料、衬底、外延...

碳化硅

功率器件

超200亿半导体项目新进展披露

近日,据长飞先进武汉基地相关负责人介绍,长飞先进武汉碳化硅基地11月起设备进驻厂房,明年年初开始调试,预计2025年5月量...

半导体 IC制造 碳化硅

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