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三星推出符合HBM2E规范的Flashbolt内存 可用于GPU

三星的Flashbolt KGSD基于八个16-Gb存储器晶元,这些晶元使用TSV(通过硅通孔)以8-Hi堆栈配置互连。每个Flashbolt封装都具...

三星 内存

存储器

直面5G测试挑战!NI全新解决方案助力5G驶入快车道

长期来看,5G测试比较大的挑战是由于毫米波和大规模天线技术引入使得无线设备更加复杂集成化。

半导体设备 5G芯片

IC设计

华硕强攻电竞与轻薄笔电

华硕共同执行长许先越、胡书宾昨(20)日表示,看好PC下半年产品周期将回到正常营运动能,华硕将强攻电竞与轻薄笔电。

电竞 笔电 华硕ASUS

智能终端

英伟达:不急推7纳米绘图芯片

英伟达(NVIDIA)在今年的绘图处理器技术大会(GTC)中,并没有宣布新一代7纳米绘图芯片Ampere(安培)的任何讯息,就连NVIDIA何时可能采...

芯片 超微AMD 英伟达

IC设计

NAND Flash厂商Q2业绩将回升

受到服务器需求疲弱、智能型手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击,本季各类NAND Flash产品合约价综合季跌幅近20%,是自20...

SSD固态硬盘 NAND Flash 闪存

存储器

美光:库存金额季增逾一成,DRAM 晶圆投片量拟减 5%

美光执行长 Sanjay Mehrotra 在财报电话会议表示,基于客户下修 DRAM 需求展望,美光 DRAM 晶圆投片量将缩减约 5%。他说,此举...

DRAM 内存 美光科技

存储器

三星联席CEO:今年面临挑战 仍将大胆投资半导体制造

受到全球贸易关系紧张、经济成长速度放缓影响,加上数据中心企业对存储器芯片需求疲软,三星零组件业务将面临困难的一年,不过,面对强烈竞争,三星将持续大胆投...

三星电子 智能手机 半导体制造

存储器

美光中科厂惊传误触消防系统,生产不受影响

根据美光科技声明稿,证实 20 日稍早于后里台中封测厂发生消防系统二氧化碳触发事件,厂区启动安全防护机制,情况当下已立即获得掌控,仅有少数人员送医观察...

美光科技

存储器

总投资10亿元,国内又一碳化硅项目将实现投产

据悉,该项目总投资10亿元,占地约80亩,建筑面积5万平方米,主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目达产后,将实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底...

半导体材料 碳化硅

IC设计