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近期有消息传出,AMD下一代芯片核心架构Zen5C代号为“Prometheus”将采用“双代工模式”,即同时采用台积电3nm及三星...

三星 AMD 芯片设计

IC设计

晶圆代工厂商持续发力3D芯片封装技术

近期,媒体报道三星电子就计划2024年推出先进3D芯片封装技术SAINT(三星高级互连技术),能以更小尺寸的封装,将AI芯片等高性能芯片...

三星 晶圆代工 半导体封装

制造/封测

MTS2024演讲精华汇总;三星、美光大动作;华虹/中芯最新财报公布

11月8日,由全球高科技产业研究机构TrendForce集邦咨询以及旗下全球半导体观察主办的“MTS2024存储产业趋势研讨会”在深圳成功举办...

三星 华虹半导体 美光科技

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三星、美光大动作,扩产HBM

存储市场消费电子应用疲软的环境下,HBM成为发展新动能,备受大厂重视。近期,三星、美光传出将扩产HBM的消息...

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存储大厂看好Q4需求回升

近期,三星电子公布第三季财报,该季三星营收为67.40万亿韩元,尽管营收同比下降,但该公司净利润达5.5万亿韩元,超过此前预...

存储器 三星 存储芯片

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先进制程之战:三星/英特尔/台积电动态跟踪

近期,三星电子旗下晶圆代工事业Samsung Foundry 透露,已开始跟大型芯片客户接洽,准备提供1.4nm及2nm制程的服务...

三星 台积电 英特尔

制造/封测

三星明年将推300层以上V-NAND

存储器大厂三星分享 V-NAND(即 3D NAND)发展计划,证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,这将是业界最高层数...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂

据外媒消息,三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。报道中称,三星已开始采购最新的半导体设备...

三星 NAND Flash 存储芯片

存储器

传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存

,三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产...

三星 DRAM芯片 NAND Flash

存储器

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